南京回收ATMEL芯片-全国回收芯片详细介绍

南京回收芯片、回收芯片

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为了使通信终端设备做得越来越小，在数字蜂窝电话中，芯核RISC处理器构成一个高集成度子系统的一部分。基带部分，即RF 部分在通常的情况下集成一个RISC微控制器、一个低成本DSP、键盘、存储器、屏控制器和连接逻辑。ARM公司的ARM7 TDM1十分适合于这种应用，其每兆赫仅消耗1.85mW，相对低的 13MHz 速率与GSM900系统中的微控制器同步。RISC芯核在芯片上仅占4.9m2的面积，可以在较低的电压下工作，因而片上存储器的功耗往往低于片外存储器。ROM的功耗也小于SRAM。在可能的情况下，采用空载模式更能节省功率。在一般情况下，片上必需包括一个锁相环为DSP提供时钟信号。

高集成度在DSP芯片中也应用得很广泛。 为用低功耗的小型器件进行高水准的调制和解调算法作业，已经开发出包含有DSP内核电路的单片算法IC。在21世纪初的几年内，随着微细化工艺技术的不断发展，在更多地采用0.25μmCMOS工艺之后，集成度将会得到进一步的提高，而电压和功耗将会进一步降低，从而能够将用于协议处理的CPU内核电路也全部集中制作在一枚小小的芯片上。 Texas Instruments(TI)公司日前新推出的TMS320C6203产品，有250MHz、300MHz两种型号，执行速度高达2900MIPS，是世界上速度最快的DSP产品。这款芯片集成了7Mbits内存，是在单机芯DSP里集成的内存，采用18m2的BGA封装，能够节省插件板/系统空间，适用于3G无线基站、电信系统和网络基础设施的设备。

使通信芯片实现微型化的另一种***途径，是在半导体通信芯片制造工艺中采用更***的光刻技术，科学家们让光透过掩膜形成一个影像，利用透镜使这个影像缩小，并且巧妙地利用这种投影光，把芯片电路的轮廓投射到涂有一层硅的光刻胶上面，通过对透镜的改进，缩短光的波长，并且改进光阻材料，就可以把芯片电路蚀刻得更加细致入微，更加***，从而制造出集成度更高、体积更小的通信芯片，使用这种芯片的移动通信设备将变得更加便携。

快如闪电

第三代移动通信正在崛起，3G与***代以及***代移动通信技术的不同，在于3G需要面向Internet和数据通信。因此，对***的手机IC芯片提出了更好的要求，要求手机IC芯片具有更强大的数据存储和数据处理能力，必需拥有更广阔的存储空间，用来存储从网上下载的各种数据信息。此外，还要求***手机中被处理的信息不再仅仅是语音和指令，而是更复杂的多媒体信息，因此，要求***手机IC芯片必需拥有更高速的数据处理能力，要求其速度快如闪电。

为了使***手机拥有更大的存储能力和更快的数据处理能力，将会提高手机的功耗，而要达到大数据量存储、高速处理和功耗不增加这三种要求,***手机应当采用嵌入式flash（快闪）存储技术、高性能的DSP和降低电池电压等各种手段。

高速接口IC，用于通信网络的中继传输和几个通信系统之间的高速传输，传输速度已经按照ITU规定的SHD实现标准化。除了与光缆接口的激光器驱动电路和光接收电路等光电变换电路之外，其它的诸如帧同步、纠错以及传输总线的多路分离等，都需要利用已经向着微细化发展的CMOS 技术的高集成度;将其制作在一枚小小的芯片上。以0.35μmCMOS技术制作的通信接口IC，能够以2.4Gbps的速度进行各种传输信息的处理。

蓝色巨人IBM和北方电讯(Nortel) 公司的科学家们还联合研制出了一款制造材料既非硅、也非锗的新型芯片，这就是SiGe芯片，它是由硅(Si)和锗(Ge)两种材料的混合物制造而成的，称为SiGe混合物半导体芯片。 根据这两家公司的合作协议，Nortel公司负责为几种高速通信应用程序专门设计这种新型SiGe芯片，而IBM公司则负责专门生产这种芯片。 这种SiGe芯片是其他一些非硅半导体芯片诸如砷化镓芯片的有益的补充，SiGe芯片能够有力地支持研发更复杂、高速的通信新产品。与砷化镓芯片比较，SiGe芯片有着其明显的优势，SiGe芯片的集成度更高，体积更小，功耗也更少。此外，SiGe芯片还有一个突出的优点，它可以用现有的硅芯片生产设备进行加工，而不必另外添置其它的加工设备，从而能够有效地降低生产成本，与其他的非硅芯片更具有价格优势。